BALLUFF傳感器的量程與哪些因素有關(guān)
BALLUFF傳感器是外界的壓力（或拉力）引起應變材料的幾何形狀（長(cháng)度或寬度）發(fā)生改變，進(jìn)而導致材料的電阻發(fā)生變化。檢測這個(gè)電阻變化量可以測得外力的大小。壓阻式壓力傳感器通常是半導體壓敏材料。半導體壓阻式傳感器在受到外力后，自身的幾何形狀幾乎沒(méi)有什么改變，而是其晶格參數發(fā)生改變，影響到禁帶寬度。禁帶寬度哪怕是非常微小的改變，都會(huì )引起載流子密度很大的改變，這zui終引起材料的電阻率發(fā)生改變。可見(jiàn)兩種材料雖然都對外力變化呈現出電阻的變化，但原理不同。另外，應變式材料對外力的敏感度遠遠低于半導體壓阻材料，后者的靈敏度是前者的約100倍；應變材料特性受溫度影響較小，而半導體壓阻材料對溫度敏感。
BALLUFF傳感器主要由兩個(gè)半環(huán)形磁鋼組成的梯度磁場(chǎng)和位于磁場(chǎng)的鍺材料半導體霍爾片（敏感元件）裝置構成。此外，還包括測量電路（電橋、差動(dòng)放大器等）及顯示部分。是兩個(gè)結構相同的直流磁路系統共同形成一個(gè)沿x 軸的梯度磁場(chǎng)。為使磁隙中的磁場(chǎng)得到較好的線(xiàn)性分布，在磁面裝有特殊形式的極靴。用它制作的位移傳感器靈敏度很高。霍爾片置于兩個(gè)磁場(chǎng)中，細心調整它的初始位置，即可使初始狀態(tài)的霍爾電勢為零。它的位移量較小，適于測量微位移和機械振動(dòng)等。當霍爾元件通以恒定電流時(shí)，在其垂直于磁場(chǎng)和電流的方向上就有霍爾電勢輸出。霍爾元件在梯度磁場(chǎng)中上、下移動(dòng)時(shí)，輸出的霍爾電勢V 取決于其在磁場(chǎng)中的位移量x。測得霍爾電勢的大小便可獲知霍爾元件的靜位移。